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參數(shù)資料
| 型號： | UPA621 |
| 英文描述： | UPA621TT Data Sheet | Data Sheet[06/2002] |
| 中文描述： | UPA621TT數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[06/2002] |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | UPA621 |
Data Sheet G16111EJ1V0DS
2
μ
PA620TT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
10
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
±
12 V, V
DS
= 0 V
±
10
μ
A
Gate Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 10 V, I
D
= 1.0 mA
0.5
1.0
1.5
V
Forward Transfer Admittance
| y
fs
|
V
DS
= 10 V, I
D
= 2.5 A
3.0
6.0
S
Drain to Source On-state Resistance
R
DS(on)1
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 2.5 A
30
38
m
R
DS(on)2
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 2.5 A
31
39
m
R
DS(on)3
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 2.5 A
40
54
m
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 10 V
450
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0 V
130
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1.0 MHz
90
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
V
DD
= 10 V, I
D
= 2.5 A
36
ns
Rise Time
t
r
V
GS
= 4.0 V
210
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
R
G
= 10
150
ns
Fall Time
t
f
200
ns
Total Gate Charge
Q
G
V
DD
= 16 V
5.5
nC
Gate to Source Charge
Q
GS
V
GS
= 4.0 V
1.0
nC
Gate to Drain Charge
Q
GD
I
D
= 5.0 A
2.8
nC
Body Diode Forward Voltage
V
F(S-D)
I
F
= 5.0 A, V
GS
= 0 V
0.87
V
TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE
TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME
PG.
R
G
0
V
GS
D.U.T.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1%
τ
PG.
50
D.U.T.
R
L
V
DD
I
G
= 2 mA
GS
Wave Form
DS
Wave Form
V
GS
V
DS
10%
0
0
90%
90%
90%
V
GS
V
DS
t
on
t
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10%
10%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA622 | UPA622TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
| UPA620TT | N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| UPA1715 | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| UPA1715G | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| UPA650 | UPA650TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002] |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UPA621TT-E2-A | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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| UPA622TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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