參數(shù)資料
型號： UPA620TT
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 67K
代理商： UPA620TT
Data Sheet G16111EJ1V0DS
5
μ
PA620TT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
D
0
20
40
60
80
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
= 4.5 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
20
40
60
80
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
= 4.0 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
SWITCHING CHARACTERISTICS
R
D
0
20
40
60
80
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
= 2.5 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
100
1000
0.1
1
10
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
I
D
- Drain Current - A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1.0 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
F
0.01
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Pulsed
V
GS
= 0 V
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
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PDF描述
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