參數(shù)資料
型號： UPA611
英文描述： UPA611TA Data Sheet | Data Sheet[08/1999]
中文描述： UPA611TA數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[08/1999]
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： UPA611
1996
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ
PA610TA
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
FOR HIGH SPEED SWITCHING
Document No. D11199EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published September 1996 P
Printed in Japan
DESCRIPTION
The
μ
PA610TA is a switching device which can be driven
directly by a 2.5 V power source.
The
μ
PA610TA has excellent switching characteristics, and is
suitable for use as a high-speed switching device in digital circuits.
FEATURES
Can be driven by a 2.5 V power source.
Low Gate Cut-off Voltage.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T
T
ch
T
stg
–30
+20
+0.1
V
V
A
A
+0.4
Note
300 (TOTAL)
150
–55 to +150
mW
°
C
°
C
Note
PW
≤
10
μ
s, Duty Cycle
≤
1 %
Package Drawings (unit: mm)
Equivalent Circuit
Pin Connection (Top View)
6
5
4
1
2
3
1. Source 1
2. Source 2
3. Gate 2
4. Drain 2
5. Gate 1
6. Drain 1
Marking : JB
Internal Diode
Source
Drain
Gate
Gate Protect
Diode
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this
device is actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage
may be applied to this device.
2.9 ±0.2
1.9
0.95 0.95
0.32
+0.1
1
2
+
0
–
0.16
+0.1
0 to 0.1
0.8
1.1 to 1.4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UPA620TT N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA1715 SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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參數(shù)描述
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