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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA2714 |
| 英文描述： | UPA2714GR Data Sheet | Data Sheet[11/2002] |
| 中文描述： | UPA2714GR數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[11/2002] |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | UPA2714 |
Data Sheet G15851EJ2V0DS
6
μ
PA2700TP
[MEMO]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA2714GR | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2715GR-E1-AT | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin Power SOP T/R |
| UPA2716AGR-E1-AT | 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| UPA2716AGR-E2-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| UPA2716GR | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
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