- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361577 > UPA1710AG TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UPA1710AG |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 5A條（?。﹟蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | UPA1710AG |
Data Sheet
G14330EJ3V0DS
4
μ
PA1727
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
0.1
0.01
1
10
100
0
1
2
3
4
5
T
A
= 150
C
75
C
25
C
25
C
Pulsed
V
DS
= 10
V
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
40
50
Pulsed
V
GS
=
10 V
V
GS
=
4V
V
GS
=
4.5V
30
20
10
0
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
|
y
f
|
0.01
0.1
1
10
100
100
10
1
0.1
0.01
V
= 10 V
Pulsed
T
A
= 150
C
75
C
25
C
25
C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
40
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
00
20
30
10
15
10
5
I
D
=
10 A
Pulsed
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
1
10
100
0.1
0
10
20
30
40
V
GS
= 10
V
V
GS
= 4.5
V
V
GS
= 4
V
Pulsed
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
C
V
G
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
50
0
50
100
150
0
1.0
2.0
2.5
3.0
1.5
0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA1712 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UPA1716G | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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