- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄361577 > UPA1701 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA1701 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直| 7A條（?。﹟蘇 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | UPA1701 |
Data Sheet
G14330EJ3V0DS
3
μ
PA1727
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C
,
All terminals are connected.)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
C
- Case Temperature -
°
C
d
0
20
0
40
60
80
100
120
140
160
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
0
20
40
60
80
100
120
140
160
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Mounted on ceramic
substrate of
1200
mm
2
x 2.2
mm
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1
10
100
I
D
0.1
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
0.1
1
10
100
0.01
100
ms
10
ms
1
ms
PW
=
100
μ
s
I
D(DC)
PowerDsspaion
Lmted
DC
R
DS(on)
=10V)
(a V
GS
I
D(pulse)
T
A
= 25C
Single Pulse
Remark
Mounted on ceramic substrate of 1200 mm
2
×
2.2 mm
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
C
100
0.01
0.1
1
10
1000
1m
10m
100m
1
10
100
1000
10
μ
100
μ
Mounted on ceramic
substrate of
1200
mm
2
x 2.2
mm
Single Pulse, T
A
= 25C
R
th(ch-A)
= 62.5C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| UPA1702 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
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| UPA1710AG | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO |
| UPA1712 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UPA1703G | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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