參數(shù)資料
型號(hào)： UP04534
英文描述： 複合デバイス － 複合トランジスタ
中文描述： 複合デバイス-複合トランジスタ
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 183K
代理商： UP04534
1
: 2003
6
SJJ00266BJD
UP04534
NPN
■
1
2
(
)
■
2SC2404
×
2
■
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
■
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
(E
)
V
CBO
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
6 V, I
E
=
1 mA
V
CB
=
6 V, I
E
=
1 mA
V
CB
=
6 V, I
E
=
1 mA, f
=
10.7 MHz
V
CB
=
6 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
6 V, I
E
=
1 mA, f
=
100 MHz
V
CB
=
6 V, I
E
=
1 mA, f
=
100 MHz
30
V
(C
)
V
EBO
V
BE
3
V
720
mV
h
FE
65
160
(
)
C
re
f
T
0.8
1.0
pF
450
650
MHz
NF
3.3
dB
G
P
24
dB
1 : Emitter (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
4 : Emitter (Tr2)
5 : Base (Tr2)
6 : Collector (Tr1)
SSMini6-F1 Package
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
: 7E
(0.30)
0.10
±
0.02
6
5
4
1
2
3
5
5
0.20
+0.05
1
±
0
0
±
0
0
0
(
1.60
±
0.05
1
1
±
0
(
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
(E
)
V
CBO
V
CEO
30
V
(B
)
20
V
(C
)
V
EBO
3
V
I
C
P
T
15
mA
125
mW
T
j
125
°
C
°
C
T
stg
55
～
+
125
)
JIS C 7030
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UP17P005 Microcontroller
UPB1E101MPD ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS
UPJ1A152MHD CONDUCTIVE POLYMER ALUMINUM SOLID ELECTROLYTIC CAPACITORS
UPM1C561MED ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS
UPSD3354B-24U1 8-bit Microcontroller with 2/4/8K Bytes In-System Programmable Flash
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UP0453400L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SSMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
UP04534G0L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
UP0459800L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SSMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
UP0459900L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SSMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
UP04601 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
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