參數(shù)資料
型號： UP0431N
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復合設備-復合晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 106K
代理商： UP0431N
UP04311
2
SJJ00253BED
Common characteristics chart
P
T
T
a
Characteristics charts of Tr1
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr2
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
50
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
0.1
0.5
0.5
μ
A
Emitter cutoff current
I
EBO
mA
Forward current transfer ratio
h
FE
35
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.25
V
High-level output voltage
V
OH
4.9
V
Low-level output voltage
V
OL
R
1
0.2
+
30%
V
Input resistance
30%
10
k
Resistance ratio
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
80
MHz
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
0
140
20
40
60
80
100
120
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.5 mA
T
a
=
25
°
C
0.9 mA
0.3 mA
0.1 mA
C
C
0.01
1
0.1
1
10
100
1
000
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25C
C
C
Collector current I
C
(mA)
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
50
100
150
200
1
250
10
100
1
000
V
CE
=
10 V
T
a
= 75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
60
100
160
140
40
120
80
140
80
20
T
T
60
120
40
100
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PDF描述
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UP1753-AA3-R HIGH CURRENT LOW V TRANSISTOR
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