參數(shù)資料
型號(hào): UP04311
英文描述: Composite Device - Composite Transistors
中文描述: 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 106K
代理商: UP04311
UP04311
3
SJJ00253BED
Characteristics charts of Tr2
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
35
20
30
5
15
25
10
0.1
10
1
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
0.01
1
0.1
1
10
100
2
1.8
1.6
1.4
1.2
Input voltage V
IN
(V)
O
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.1
0.1
1
10
1
10
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
0
140
20
40
60
80
100
120
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.5 mA
T
a
=
25
°
C
0.3 mA
0.1 mA
C
C
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
1
10
100
1
000
3
Collector current I
C
(mA)
30
300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
0.1
1
100
1
000
10
0
140
20
40
60
80
100
120
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
0.1
0.1
1
100
1
10
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
10
0.01
1.0
0.
1
1
10
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Input voltage V
IN
(V)
O
O
V
O
=
5 V
T
a
= 25
°
C
0
35
20
30
5
15
25
10
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
0.1
100
1
10
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PDF描述
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UP04311G0L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04312 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
UP0431200L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
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