型號: | UNRF2A7 |
英文描述: | 複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
中文描述: | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 81K |
代理商: | UNRF2A7 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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UNRF2AL | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Transistors with built-in Resistor |
UNRF2AM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
UNRF2AN | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar transistor |
UNRF2AN00A | 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE LEADLESS RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |