參數(shù)資料
型號： UNRF2A3
英文描述： 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
中文描述： 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： UNRF2A3
UNRF2A5
2
SJH00072AED
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
P
T
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
V
IN
I
O
0
140
60
20
80
120
40
100
0
120
100
80
60
40
20
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
12
10
8
2
6
4
0
80
60
20
50
70
40
10
30
I
B
=
1.0 mA
0.
0.
0.
0.
7 mA
0.
3 mA
0.
2 mA
0.
1 mA
T
a
=
25
°
C
0.
9 mA
0.
8 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.1
1
10
100
1
000
0.01
10
1
0.1
T
a
= 85
°
C
25
°
C
25
°
C
I
C
/ I
B
=
10
Collector current I
C
(mA)
C
C
1
10
100
0
450
400
350
300
250
150
200
100
50
T
a
= 85
°
C
25
°
C
25
°
C
V
CE
=
10 V
Collector current I
C
(mA)
F
F
0
40
10
30
20
1
10
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
0
2.5
2.0
0.5
Input voltage V
IN
(V)
1.5
1.0
1
100
10
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
1
10
100
0.1
100
10
1
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
Output current I
O
(mA)
I
I
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