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參數(shù)資料
| 型號： | UNR9217Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416 |
| 文件頁數(shù)： | 1/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 259K |
| 代理商： | UNR9217Q |
1
Transistors with built-in Resistor
UNR9211/9212/9213/9214/9215/9216/9217/9218/9219/9210/921D/
921E/921F/921K/921L/921M/921N/921AJ/921BJ/921CJ
(UN9211/9212/9213/9214/9215/9216/9217/9218/9219/9210/921D/921E/921F/
921K/921L/921M/921N/921AJ/921BJ/921CJ)
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For digital circuits
I
Features
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G
SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape
packing and magazine packing.
I
Resistance by Part Number
Marking Symbol
G
UNR9211
G
UNR9212
G
UNR9213
G
UNR9214
G
UNR9215
G
UNR9216
G
UNR9217
G
UNR9218
G
UNR9219
G
UNR9210
G
UNR921D
G
UNR921E
G
UNR921F
G
UNR921K
G
UNR921L
G
UNR921M
G
UNR921N
G
UNR921AJ
G
UNR921BJ
G
UNR921CJ
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
4.7k
22k
0.51k
1k
47k
47k
47k
4.7k
10k
4.7k
2.2k
4.7k
100k
100k
—
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
4.7k
4.7k
47k
47k
100k
—
47k
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8H
8I
8K
8L
8M
8N
8O
8P
8Q
EL
EX
8X
8Y
8Z
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
I
C
P
T
T
j
100
mA
Total power dissipation
125
mW
Junction temperature
125
C
Storage temperature
T
stg
–55 to +125
C
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SS–Mini Type Pakage
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
-
0
+
-
1
2
3
0.2
±
0.1
B
C
R1
R2
E
Unit: mm
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SS–Mini Flat Type Pakage (J type)
1
+
–
0
+
–
0
+
–
0
0
0
0
0
1.60
±
0.05
0.80
0.425 0.425
0.80
±
0.05
1
±
0
0
±
0
0.85
+0.05
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR9217R | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9217S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9218 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9219 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UN921KJ | Silicon NPN epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR9217R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9217S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9218 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9218G0L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 20HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9218J | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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