參數(shù)資料
型號: UNR911VJ
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù): 10/19頁
文件大?。?/td> 476K
代理商: UNR911VJ
10
UNR911xJ Series
SJH00038BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR911AJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f = 1 MHz
I
E
= 0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
0.5 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
10
1
1
10
10
2
10
3
250
50
100
150
200
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
1
10
10
20
30
40
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
10
10
2
10
3
0.4
0.8
1.2
1.6
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
Input voltage V
IN
(V)
1
10
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
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PDF描述
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UNR911AJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911BJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911CJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
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