參數(shù)資料
型號(hào)： UNR911NJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/19頁(yè)
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR911NJ
3
UNR911xJ Series
SJH00038BED
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Characteristics charts of UNR9110J
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Common characteristics chart
P
T
T
a
150
0
0
160
40
120
80
125
100
75
50
25
Ambient temperature T
a
(
°
C)
T
T
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.90.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0. 0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
10
2
10
3
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Emitter-base resistance
UNR911CJ
R
2
30%
47
+
30%
k
Resistance
UNR911MJ
R
1
/R
2
0.047
ratio
UNR911NJ
0.1
UNR9118J/9119J
0.08
0.10
0.12
UNR9114J
0.17
0.21
0.25
UNR911HJ
0.17
0.22
0.27
UNR911TJ
0.47
UNR911FJ
0.37
0.47
0.57
UNR911AJ/911VJ
1.0
UNR9111J/9112J/9113J/911LJ
0.8
1.0
1.2
UNR911EJ
1.70
2.14
2.60
UNR911DJ
3.7
4.7
5.7
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR911TJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911VJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911XJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911AJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911BJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR911NJ0L 功能描述:TRANS PNP 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR911TG0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR911TJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911TJ(UN911TJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:UNR911TJ (UN911TJ) - PNP Transistor with built-in Resistor
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