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參數(shù)資料
| 型號： | UNR911LJ(UN911LJ) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 5/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 316K |
| 代理商： | UNR911LJ(UN911LJ) |
UNR91XXJ Series
13
SJH00038AED
Characteristics chart of UNR911EJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Characteristics chart of UNR911FJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
0
12
2
10
4
8
6
60
50
40
30
20
10
Ta
= 25°C
IB =
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA 0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10 30 100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
100
200
300
400
10 30 100 300 1000
V
CE = 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
0.1 0.3
6
5
4
3
2
1
3
10 30 100
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10 30 100
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
1
3
1.5
10
30
100
300
1000
3000
10000
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
0
12
2
10
4
8
6
240
200
160
120
80
40
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10 30 100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
40
80
120
160
10 30 100 300 1000
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| UPC2260V | 5 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.8 V DROPOUT, PZFM5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UNR911N | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
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