參數(shù)資料
型號: UNR911D
英文描述: TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
中文描述: 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|的SOT - 416
文件頁數(shù): 5/18頁
文件大?。?/td> 316K
代理商: UNR911D
UNR91XXJ Series
13
SJH00038AED
Characteristics chart of UNR911EJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Characteristics chart of UNR911FJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
0
12
2
10
4
8
6
60
50
40
30
20
10
Ta
= 25°C
IB =
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA 0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10 30 100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
100
200
300
400
10 30 100 300 1000
V
CE = 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
0.1 0.3
6
5
4
3
2
1
3
10 30 100
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10 30 100
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
1
3
1.5
10
30
100
300
1000
3000
10000
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
0
12
2
10
4
8
6
240
200
160
120
80
40
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.03
0.1 0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10 30 100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
40
80
120
160
10 30 100 300 1000
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR911DJ(UN911DJ) 複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR911E TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR911EJ(UN911EJ) 複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR911F TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR911FJ(UN911FJ) 複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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