參數(shù)資料
型號： UNR9119J
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/19頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR9119J
3
UNR911xJ Series
SJH00038BED
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Characteristics charts of UNR9110J
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Common characteristics chart
P
T
T
a
150
0
0
160
40
120
80
125
100
75
50
25
Ambient temperature T
a
(
°
C)
T
T
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.90.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0. 0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
10
2
10
3
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Emitter-base resistance
UNR911CJ
R
2
30%
47
+
30%
k
Resistance
UNR911MJ
R
1
/R
2
0.047
ratio
UNR911NJ
0.1
UNR9118J/9119J
0.08
0.10
0.12
UNR9114J
0.17
0.21
0.25
UNR911HJ
0.17
0.22
0.27
UNR911TJ
0.47
UNR911FJ
0.37
0.47
0.57
UNR911AJ/911VJ
1.0
UNR9111J/9112J/9113J/911LJ
0.8
1.0
1.2
UNR911EJ
1.70
2.14
2.60
UNR911DJ
3.7
4.7
5.7
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
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PDF描述
UNR921NJ Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921TJ Silicon NPN epitaxial planar type
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UNR921KJ Silicon NPN epitaxial planar type
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參數(shù)描述
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UNR911AJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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