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參數(shù)資料
| 型號： | UNR9117J(UN9117J) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 9/18頁 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | UNR9117J(UN9117J) |
UNR91XXJ Series
17
SJH00038AED
Characteristics chart of UNR911TJ
Characteristics chart of UNR911VJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
125
150
175
100
75
50
25
0
2.5
5
7.5
10
0.9 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.5 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
1
0.1
10
1
100
10
100
1000
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
IC
/ I
B
= 10
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
100
300
200
150
50
250
0.1
1
10
100
1000
Ta
= 75°C
VCE
= 10 V
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
1
5
4
3
2
1
6
10
30
3
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.01
10
1
0.1
0.25 0.5
100
1000
10000
0.75
1
1.25
1.5
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
0.1
0.01
1
10
100
0.1
1
10
100
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
0
10
8
6
4
2
12
0
12
2
10
4
8
6
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
1
10
100
1000
0.01
0.1
10
1
IC
/ I
B
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
12
10
8
6
4
2
–1
–10
–100
–1 000
VCE
= 10 V
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR911D | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR911DJ(UN911DJ) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR911E | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR911EJ(UN911EJ) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR911F | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR9117Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9117R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9117S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9118 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9118G0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 20HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
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