參數(shù)資料
型號(hào)： UNR9116J(UN9116J)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁(yè)數(shù)： 3/18頁(yè)
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代理商： UNR9116J(UN9116J)
UNR91XXJ Series
11
SJH00038AED
Characteristics chart of UNR911BJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Characteristics chart of UNR911CJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
Ta
= 25°C
10
0
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
IB
= 0.5 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.1
10
1
0.1
1
10
100
IC
/ I
B
= 10
25°C
Ta
= 75°C
25
°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
1000
0
400
VCE
= 10 V
50
100
150
200
250
300
350
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
1
10
10
20
30
40
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.01
0.1
1
10
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
0.1
100
0.1
1
10
100
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
1
10
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
Ta
= 25°C
0
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
10
IB
= 1.0 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
0.01
1
10
100
IC
/ I
B
= 10
25°C
Ta
= 75°C
25
°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
VCE
= 10 V
1
10
100
1000
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UNR9117J 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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