參數(shù)資料
型號(hào)： UNR9110Q
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416
文件頁(yè)數(shù)： 9/18頁(yè)
文件大?。?/td> 316K
代理商： UNR9110Q
UNR91XXJ Series
17
SJH00038AED
Characteristics chart of UNR911TJ
Characteristics chart of UNR911VJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
125
150
175
100
75
50
25
0
2.5
5
7.5
10
0.9 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.5 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
1
0.1
10
1
100
10
100
1000
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
IC
/ I
B
= 10
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
100
300
200
150
50
250
0.1
1
10
100
1000
Ta
= 75°C
VCE
= 10 V
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
1
5
4
3
2
1
6
10
30
3
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.01
10
1
0.1
0.25 0.5
100
1000
10000
0.75
1
1.25
1.5
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
0.1
0.01
1
10
100
0.1
1
10
100
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
0
10
8
6
4
2
12
0
12
2
10
4
8
6
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
1
10
100
1000
0.01
0.1
10
1
IC
/ I
B
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
12
10
8
6
4
2
–1
–10
–100
–1 000
VCE
= 10 V
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UNR9111J 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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