參數資料
型號： UNR621K(UN621K)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復合裝置-內置晶體管，電阻，
文件頁數： 10/14頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： UNR621K(UN621K)
5
Transistors with built-in Resistor
UNR6211/6212/6213/6214/6215/6216/6217/6218/
6219/6210/621D/621E/621F/621K/621L
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
Characteristics charts of UNR6214
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
1
3
0.4
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO=5V
Ta=25C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO=0.2V
Ta=25C
0
012
210
48
6
40
120
80
160
140
100
60
20
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current IC (mA)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
100
200
300
400
350
250
150
50
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
1
3
0.4
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO=5V
Ta=25C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO=0.2V
Ta=25C
相關PDF資料
PDF描述
UNR621L(UN621L) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR6221 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
UNR6221(UN6221) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR6222 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
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