參數(shù)資料
型號： UNR5213(UN5213)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大?。?/td> 285K
代理商： UNR5213(UN5213)
2
Transistors with built-in Resistor
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
s Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 50V, IE = 0
0.1
A
ICEO
VCE = 50V, IB = 0
0.5
A
UNR5211
0.5
UNR5212/5214/521E/521D/521M/521N/521T
0.2
UNR5213
0.1
UNR5215/5216/5217/5210
IEBO
VEB = 6V, IC = 0
0.01
mA
UNR521F/521K
1.0
UNR5219
1.5
UNR5218/521L/521V
2.0
UNR521Z
0.4
Collector to base voltage
VCBO
IC = 10A, IE = 0
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = 2mA, IB = 0
50
V
UNR5211
35
UNR5212/521E
60
UNR5213/5214/521M
80
UNR5215*/5216*/5217*/5210*
160
460
UNR521F/521D/5219
hFE
VCE = 10V, IC = 5mA
30
UNR5218/521K/521L
20
UNR521N/521T
80
400
UNR521V
6
20
UNR521Z
60
200
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10mA, IB = 0.3mA
0.25
V
UNR521V
IC = 10mA, IB = 1.5mA
0.25
V
Output voltage high level
VOH
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1k
4.9
V
Output voltage low level
VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1k
0.2
UNR5213/521K
VOL
VOC = 5V, VB = 3.5V, RL = 1k
0.2
V
UNR521D
VCC = 5V, VB = 10V, RL = 1k
0.2
UNR521E
VCC = 5V, VB = 6V, RL = 1k
0.2
Transition frequency
fT
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz
150
MHz
UNR5211/5214/5215/521K
10
UNR5212/5217/521T
22
UNR5213/521D/521E/5210
47
UNR5216/521F/521L/521N/521Z
R1
(–30%)
4.7
(+30%)
k
UNR5218
0.51
UNR5219
1
UNR521M/521V
2.2
Emitter
cutoff
current
Forward
current
transfer
ratio
Input
resis-
tance
* hFE rank classification (UNR5125/5216/5217/5210)
Rank
Q
R
S
hFE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR5214(UN5214) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR5215(UN5215) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR5215Q TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
UNR5215R TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
UNR5215S TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR5214 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR5214(UN5214) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR521400L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR5214G0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*