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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR511D |
| 廠(chǎng)商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 444K |
| 代理商： | UNR511D |
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3
UNR511x Series
SJH00022BED
Characteristics charts of UNR5110
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Common characteristics chart
P
T
T
a
0
50
100
150
200
250
0
40
80
120
160
Ambient temperature T
a
(
°
C)
T
T
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.90.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Resistance
UNR5114
0.17
0.21
0.25
ratio
UNR511H
0.17
0.22
0.27
UNR511T
0.47
UNR511F
0.37
0.47
0.57
UNR511V
1.0
UNR5111/5112/5113/511L
0.8
1.0
1.2
UNR511E
1.70
2.14
2.60
UNR511D
3.7
4.7
5.7
Rank
Q
R
S
No-rank
h
FE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
160 to 460
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR511H | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR511L | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR511M | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR511N | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR511T | Silicon PNP epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR511D(UN511D) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR511D00L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 30 HFE S-MINI 3P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242 |
| UNR511DG0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 30HFE SMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242 |
| UNR511E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
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