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參數資料
| 型號： | UNR421D(UN421D) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復合裝置-內置晶體管，電阻， |
| 文件頁數： | 4/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 540K |
| 代理商： | UNR421D(UN421D) |
4
Transistors with built-in Resistor
UNR4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/
4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
Characteristics charts of UNR4212
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
Characteristics charts of UNR4213
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25
C
I
B
=0.9mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.0.5mA
0.8mA
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
1
3
100
200
300
400
10
30
100
300
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25
C
1
0.4
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=5V
Ta=25
C
0.01
0.03
0.1
0.3
Output current I
O
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
I
I
V
O
=0.2V
Ta=25
C
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25
C
I
B
=1.0mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
00.0.0.6mA
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
1
3
100
200
300
400
350
250
150
50
10
30
100
300
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75
C
25
C
–
25
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR421E(UN421E) | 複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| UNR421F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR421F(UN421F) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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