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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR4214 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 13/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 540K |
| 代理商： | UNR4214 |
13
Transistors with built-in Resistor
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25
C
UNR4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/
4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
0.01
0.1
0.3
Output current I
O
(mA)
0.1
1
10
100
1
3
10
30
100
I
I
V
O
=0.2V
Ta=25
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN4214 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4215 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN4215 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4216 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN4216 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR4214(UN4214) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR421400A | 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR4215 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR4215(UN4215) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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