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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR411L(UN411L) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 6/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | UNR411L(UN411L) |
6
UNR41XX Series
SJH00018CED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR4114
0
0.1
0.3
Collector to base voltage V
CB
(V)
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
3
10
30
100
300
1
000
3
000
10
000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
0.2 V
T
a
= 25
°
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
100
200
300
400
10
30
100
300
1
000
D
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
0.3
Collector to base voltage V
CB
(V)
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
3
10
–30
100
300
1
000
3
000
–10
000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1
000
1
3
10
30
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR411M(UN411M) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR411N(UN411N) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR411XSERIES(UN411XSERIES) | UNR411X Series (UN411X Series) - PNP Transistors with built-in Resistor |
| UNR4216(UN4216) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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參數(shù)描述 |
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| UNR411N | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR411N(UN411N) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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