參數(shù)資料
型號(hào)： UNR4117S
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SPAK
文件頁(yè)數(shù)： 1/14頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： UNR4117S
1
Transistors with built-in Resistor
UNR4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/
4118/4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L
(UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/
4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
I
Features
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G
New S type package, allowing supply with the radial taping.
I
Resistance by Part Number
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
4.7k
22k
0.51k
1k
47k
47k
47k
4.7k
2.2k
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
10k
4.7k
G
UNR4111
G
UNR4112
G
UNR4113
G
UNR4114
G
UNR4115
G
UNR4116
G
UNR4117
G
UNR4118
G
UNR4119
G
UNR4110
G
UNR411D
G
UNR411E
G
UNR411F
G
UNR411H
G
UNR411L
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Parameter
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
New S Type Package
Unit: mm
Internal Connection
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
–50
V
Collector to emitter voltage
–50
V
Collector current
–100
mA
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
150
C
Storage temperature
–55 to +150
C
4.0
±
0.2
marking
2.54
±
0.15
1.27
1.27
3
±
0
1
±
0
2
±
0
0
±
0
0
1
2
3
+
B
C
R1
R2
E
Note) The part number
s
in the parenthesis show conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UN4110R TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
UN4110S TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
UN4115Q TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
UN4115R TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
UN4115S 0.25A SCRS
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參數(shù)描述
UNR4118 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR4118(UN4118) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR411800A 功能描述:TRANS PNP W/RES 20HFE NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR4119 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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