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參數資料
| 型號： | UNR4115 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復合裝置-內置晶體管，電阻， |
| 文件頁數： | 14/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | UNR4115 |
14
UNR41XX Series
SJH00018CED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR411N
0
10
20
1
5
35
5
25
30
40
10
1
3
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0.1
0
1
10
100
1
000
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Input voltage V
IN
(V)
O
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.03
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
3
10
30
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
140
120
100
80
60
40
20
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
0.01
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.03
0.1
0.3
1
1
3
10
30
100
C
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
I
C
/ I
B
= 10
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
50
100
150
200
300
250
10
30
100
300
1
000
D
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
10
20
1
5
35
5
25
30
40
10
1
3
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
1
0
3
10
30
100
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Input voltage V
IN
(V)
O
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.3
Output current I
O
(mA)
3
10
30
100
I
I
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN4115 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4116 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR4117 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| UNR4115(UN4115) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNR4115Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
| UNR4115R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
| UNR4115S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
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