型號: | UNR4110S |
英文描述: | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
中文描述: | 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SPAK |
文件頁數(shù): | 6/14頁 |
文件大?。?/td> | 221K |
代理商: | UNR4110S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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UNR4115R | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
UNR4115S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
UNR4116Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
UNR4116R | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
UNR4116S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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UNR4111 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
UNR4111(UN4111) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
UNR411100A | 功能描述:TRANS PNP W/RES 35HFE NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
UNR4112 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |