參數(shù)資料
型號(hào)： UNR32A4
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 80 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： UNR32A4
Transistors with built-in Resistor
UNR3213
Silicon NPN epitaxial planer type
1
For digital circuit
I
Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
Mounting ratio: 99.9% to 100%
10 000 pcs per 1 reel, reducing reel change frequency.
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
I
C
P
T
T
j
100
mA
Total power dissipation
100
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
0.1
μ
A
μ
A
I
CEO
I
EBO
V
CBO
0.5
Emitter cutoff current
0.1
mA
Collector to base voltage
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
h
FE
V
CE(sat)
50
V
Forward current transfer ratio
80
Collector to emitter saturation voltage
0.25
V
High-level output voltage
V
OH
V
OL
R
1
4.9
V
Low-level output voltage
0.2
V
Input resistance
30%
47
+
30%
k
Resistance ratio
R
1
/R
2
f
T
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
V
CB
=
10 V, I
E
=
2
mA, f
=
200 MHz
150
MHz
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
B
R
1
(47 k
)
R
2
(47 k
)
C
E
1
±
0
±
0
0
5
°
0
0
±
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
1
2
3
5
°
+0.05
0.10
+0.05
0.23
+0.05
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SSSMini3-F1 Type Package
Internal Connection
Marking Symbol: 8C
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PDF描述
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UNR32A4G0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80HFE SSSMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
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UNR32A500L 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR32A5G0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
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