參數(shù)資料
型號: UNR2217R
英文描述: TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
中文描述: 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|律師- 59
文件頁數(shù): 15/18頁
文件大?。?/td> 284K
代理商: UNR2217R
15
Transistors with built-in Resistor
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25C
I
B
=0.9mA
0.7mA
0.4mA
0.8mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
0.01
1
0.1
1
10
10
100
1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
100
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
Characteristics charts of UN
R
221N
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
Characteristics charts of UN
R
221T
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
UN
R
2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
221D/221E/221F/221K/221L/221M/221N/221T/221V/221Z
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
1
0.4
10
100
1000
10000
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=5V
Ta=25C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=0.2V
Ta=25C
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25C
I
B
=0.9mA
0.7mA
0.4mA
0.8mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
0.01
1
0.1
1
10
10
100
1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
100
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR2217S TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
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UNR2215Q TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
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UNR2219 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar transistor