參數(shù)資料
型號： UNR2217Q
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 59
文件頁數(shù)： 2/18頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： UNR2217Q
2
Transistors with built-in Resistor
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
I
CBO
I
CEO
Conditions
min
typ
max
0.1
Unit
μ
A
μ
A
Collector cutoff current
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
CE
= 50V, I
B
= 0
0.5
UNR2211
0.5
UNR2212/2214/221E/221D/221M/221N/221T
0.2
UNR2213
0.1
UNR2215/2216/2217/2210
I
EBO
V
EB
= 6V, I
C
= 0
0.01
mA
UNR221F/221K
1.0
UNR2219
1.5
UNR2218/221L/221V
2.0
UNR221Z
0.4
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
UNR2211
35
UNR2212/221E
60
UNR2213/2214/221M
80
UNR2215*/2216*/2217*/2210*
h
FE
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
160
460
UNR221F/221D/2219
30
UNR2218/221K/221L
20
UNR221N/221T
80
400
—
UNR221V
60
200
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
= 10mA, I
B
= 0.3mA
I
C
= 10mA, I
B
= 1.5mA
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V, R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V, R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 3.5V, R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 10V, R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 6V, R
L
= 1k
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
0.25
V
UNR221V
0.04
0.25
Output voltage high level
V
OH
4.9
V
Output voltage low level
0.2
UNR2213/221K
V
OL
0.2
V
UNR221D
0.2
UNR221E
0.2
Transition frequency
f
T
150
MHz
UNR2211/2214/2215/221K
10
UNR2212/2217/221T
22
UNR2213/221D/221E/2210
47
UNR2216/221F/221L/221N/221Z
R
1
(–30%)
4.7
(+30%)
k
UNR2218
0.51
UNR2219
1
UNR221M/221V
2.2
Emitter
cutoff
current
Forward
current
transfer
ratio
Input
resis-
tance
* h
FE
rank classification (UNR2215/2216/2217/2210)
Rank
Q
R
S
h
FE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
UNR2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
221D/221E/221F/221K/221L/221M/221N/221T/221V/221Z
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PDF描述
UNR2217R TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
UNR2217S TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
UNR2210R 1 A triacs
UNR2210S TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
UNR2215Q TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
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