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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR2210R |
| 英文描述： | 1 A triacs |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 59 |
| 文件頁數(shù)： | 4/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | UNR2210R |
4
Transistors with built-in Resistor
UN
R
2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
221D/221E/221F/221K/221L/221M/221N/221T/221V/221Z
Common characteristics chart
P
T
— Ta
Characteristics charts of UN
R
2211
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
C
C
Ta=25C
I
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
000.5mA
00=1.0mA
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
1
3
100
200
300
400
10
30
100
300
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
1
0.4
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=5V
Ta=25C
0.01
0.03
0.1
0.3
Output current I
O
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
I
I
V
O
=0.2V
Ta=25C
0
50
100
150
200
250
0
20
40
80
60
140
120
100
160
Ambient temperature Ta (C)
T
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR2210S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
| UNR2215Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
| UNR2215R | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
| UNR2215S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
| UNR2216Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR2210S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
| UNR2211 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| UNR2211(UN2211) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR221100L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 35 HFE MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR2212 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar transistor |
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