- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361566 > UNR2154(UN2154) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UNR2154(UN2154) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 15/18頁 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | UNR2154(UN2154) |
15
Transistors with built-in Resistor
UN
R
2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
0
0
–12
–2
–10
–4
–8
–6
–50
–150
–100
–200
–175
–125
–75
–25
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25C
I
B
=–1.0mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.8mA
–0.9mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
–0.01
–1
–0.1
–1
–10
–10
–100
–1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
–1
300
250
200
150
100
50
–10
–100
–1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
Characteristics charts of UN
R
211N
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
Characteristics charts of UN
R
211T
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
0
–1
6
5
4
3
2
1
–10
–100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–1
–0.4
–10
–100
–1000
–10000
–1.4
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=–5V
Ta=25C
–0.01
–0.1
–0.1
–1
–10
–100
–1
–10
–100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=–0.2V
Ta=25C
0
0
–12
–2
–10
–4
–8
–6
–50
–150
–100
–200
–175
–125
–75
–25
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25C
I
B
=–1.0mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.8mA
–0.9mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
–0.01
–1
–0.1
–1
–10
–10
–100
–1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
–1
300
250
200
150
100
50
–10
–100
–1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN2110R | Dual decade counter |
| UN2110S | Dual retriggerable monostable multivibrator |
| UNR2115S | TERMINAL SET INTERFACE PROTECTION AND DIODE BRIDGE |
| UNR2116(UN2116) | Constant voltage and constant current controller for battery chargers and adaptors |
| UNR2116Q | 10A SCRS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR2210 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar transistor |
| UNR2210(UN2210) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR221000L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 160 HFE MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR2210Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
| UNR2210R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。