參數(shù)資料
型號(hào)： UNR2119(UN2119)
英文描述： uPSD33xx (Turbo Series) Fast 8032 MCU with Programmable Logic
中文描述： 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
文件頁(yè)數(shù)： 14/18頁(yè)
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代理商： UNR2119(UN2119)
14
Transistors with built-in Resistor
Characteristics charts of UN
R
211M
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
0
0
–12
–2
–10
–4
–8
–6
240
200
160
120
80
40
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25C
I
B
=–0.9mA
–0.2mA
–0.1mA
–0.3mA
–0.4mA
–0.5mA
–0–0–0.6mA
–0.001
–0.003
–1
–3
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–10
–30
–100 –300 –1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
–1
–3
100
200
300
500
400
–10
–30
–100 –300 –1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
0
Collector to base voltage V
CB
(V)
10
8
6
4
2
–1
–3
–10
–30
–100
C
o
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
1
10
–1
10
–2
10
–3
10
–4
–1.4
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=–5V
Ta=25C
–0.01
–0.03
–0.1 –0.3
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–3
–10
–30
–100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=–0.2V
Ta=25C
C
ob
— V
CB
V
IN
— I
O
UN
R
2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
0
–1
6
5
4
3
2
1
–3
–10
–30
–100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–0.01
–0.1 –0.3
–0.1
–1
–10
–100
–1
–3
–10
–30
–100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=–0.2V
Ta=25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR211D(UN211D) uPSD33xx (Turbo Series) Fast 8032 MCU with Programmable Logic
UNR211N(UN211N) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR211T(UN211T) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR211V(UN211V) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR211W HIGH SIDE DRIVER
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參數(shù)描述
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UNR211D(UN211D) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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UNR211E 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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