參數(shù)資料
型號(hào)： UNR2118(UN2118)
英文描述： 40A SCRS
中文描述： 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
文件頁數(shù)： 2/18頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： UNR2118(UN2118)
2
Transistors with built-in Resistor
UNR2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
I
CBO
I
CEO
Conditions
min
typ
max
– 0.1
Unit
μ
A
μ
A
Collector cutoff current
V
CB
= –50V, I
E
= 0
V
CE
= –50V, I
B
= 0
– 0.5
UNR2111
– 0.5
UNR2112/2114/211E/211D/211M/211N/211T
– 0.2
UNR2113
– 0.1
UNR2115/2116/2117/2110
– 0.01
UNR211F/211H
I
EBO
V
EB
= –6V, I
C
= 0
–1.0
mA
UNR2119
–1.5
UNR2118/211L/211V
–2.0
UNR211Z
– 0.4
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
= –10mA, I
E
= 0
I
C
= –2mA, I
B
= 0
–50
V
Collector to emitter voltage
–50
V
UNR2111
35
UNR2112/211E
60
UNR2113/2114/211M
80
UNR2115*/2116*/2117*/2110*
160
460
UNR2119/211F/211D/211H h
FE
UNR2118/211L
V
CE
= –10V, I
C
= –5mA
30
20
UNR211N/211T
80
400
UNR211V
6
20
UNR211Z
60
200
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
= –10mA, I
B
= – 0.3mA
I
C
= –10mA, I
B
= –1.5mA
V
CC
= –5V, V
B
= – 0.5V, R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= –2.5V, R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= –3.5V, R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= –10V, R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= –6V, R
L
= 1k
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 200MHz
– 0.25
V
UNR211V
– 0.07
– 0.25
V
Output voltage high level
V
OH
–4.9
V
Output voltage low level
– 0.2
UNR2113
V
OL
– 0.2
V
UNR211D
– 0.2
UNR211E
– 0.2
Transition frequency
f
T
80
MHz
UNR2111/2114/2115
10
UNR2112/2117/211T
22
UNR2113/2110/211D/211E
47
UNR2116/211F/211L/211N/211Z
R
1
(–30%)
4.7
(+30%)
k
UNR2118
0.51
UNR2119
1
UNR211H/211M/211V
2.2
Emitter
cutoff
current
Forward
current
transfer
ratio
Input
resis-
tance
* h
FE
rank classification (UNR2115/2116/2117/2110)
Rank
Q
R
S
h
FE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR2119(UN2119) uPSD33xx (Turbo Series) Fast 8032 MCU with Programmable Logic
UNR211D(UN211D) uPSD33xx (Turbo Series) Fast 8032 MCU with Programmable Logic
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UNR211T(UN211T) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR211V(UN211V) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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參數(shù)描述
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UNR211900L 功能描述:TRANS PNP W/RES 30 HFE MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR211D 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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