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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR111D |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/14頁(yè) |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | UNR111D |
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2003 SEP
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN111D | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111E | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN111E | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111F | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN111F | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR111D(UN111D) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR111E(UN111E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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