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參數(shù)資料
| 型號： | UNR1112 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復合裝置-內置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 13/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 543K |
| 代理商： | UNR1112 |
13
UNR111x
SJH00001BJD
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
V
CB
(V)
(
)
o
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN1112 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1114 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1114 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR1112(UN1112) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNR1113 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR1113(UN1113) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
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