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參數(shù)資料
| 型號： | UN621E |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MT1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | UN621E |
3
Transistors with built-in Resistor
UN6211/6212/6213/6214/6215/6216/6217/6218/
6219/6210/621D/621E/621F/621K/621L
Common characteristics chart
P
T
— Ta
Characteristics charts of UN6211
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
0
100
200
300
400
500
0
20
40
80
60
140
120
100
160
Ambient temperature Ta (C)
T
T
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
C
C
Ta=25C
I
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
000.5mA
00=1.0mA
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
1
3
100
200
300
400
10
30
100
300
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
1
0.4
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=5V
Ta=25C
0.01
0.03
0.1
0.3
Output current I
O
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
I
I
V
O
=0.2V
Ta=25C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN6210 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| UN6211 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| UN6212 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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| UN6216 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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參數(shù)描述 |
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| UN621L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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| UN6222 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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