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參數(shù)資料
| 型號： | UN121F |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 12/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | UN121F |
12
UNR121x
SJH00003BJD
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
UNR121K
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
UNR121L
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
C
V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
= 1.2 mA
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
I
C
(mA)
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
1
000
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
C
V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.8 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
1
000
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR121K | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN121K | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR121L | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN121L | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1231 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UN121K | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| UN121L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UN1221 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| UN1222 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| UN1223 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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