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參數(shù)資料
| 型號： | UN121E |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 13/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | UN121E |
13
UNR121x
SJH00003BJD
C
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V
CB
V
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I
O
0
1
6
5
4
3
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1
10
100
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(
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=
1 MHz
I
E
=
0
T
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=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR121F | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN121F | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UN121K | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UN1221 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| UN1222 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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