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參數資料
| 型號： | UN1219 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復合裝置-內置晶體管，電阻， |
| 文件頁數： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | UN1219 |
3
UNR121x
SJH00003BJD
UNR1210
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
T
T
a
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
12
2
10
4
8
6
0
60
50
40
30
20
10
C
V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.7 0.0.0.4 mA
0.90.8 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
O
μ
A
V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
T
a
(
°
C)
T
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR121D | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1217 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1217 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| UN121L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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