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參數(shù)資料
| 型號： | UN111H |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 8/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 543K |
| 代理商： | UN111H |
8
UNR111x
SJH00001BJD
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
UNR1117
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
UNR1118
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
0
12
2
10
V
CE
(V)
4
8
6
120
100
80
60
40
20
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
00.7 mA
0.6 mA
0.0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
I
C
(mA)
1
000
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
V
IN
(V)
0.8
0.6
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
12
2
10
V
CE
(V)
4
8
6
240
200
160
120
80
40
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10
100
I
C
(mA)
1
000
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR111L | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN111L | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR1110(UN1110) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UN111X | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN1121 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y - PNP Transistor with built-in Resistor |
| UN1122 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
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