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參數(shù)資料
| 型號： | UN111E |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 12/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 543K |
| 代理商： | UN111E |
12
UNR111x
SJH00001BJD
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
UNR111H
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
UNR111L
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
0
12
2
10
V
CE
(V)
4
8
6
120
100
80
60
40
20
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
0.5 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
I
C
(mA)
1
000
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
240
200
160
120
80
40
1
10
100
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
–12
–2
–10
V
CE
(V)
–4
–8
–6
240
200
160
120
80
40
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
I
C
(mA)
1
000
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
I
C
(mA)
1
000
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR111F | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN111F | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111H | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN111H | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111L | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UN111F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN111H | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN111L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN111X | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN1121 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
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