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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UN1112 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/14頁(yè) |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | UN1112 |
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11
UNR111x
SJH00001BJD
UNR111F
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
V
IN
(V)
2.5
2.0
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
0
0
12
2
10
V
CE
(V)
4
8
6
240
200
160
120
80
40
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.80.7 mA
0.6 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10
100
I
C
(mA)
1
000
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
V
IN
(V)
0.8
0.6
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR1113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1114 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1114 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1115 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UN1113 | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
| UN1114 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN1115 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UN1115Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UN1115R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
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