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參數(shù)資料
| 型號： | UMX12N |
| 英文描述： | 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial I²C bus EEPROM |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|叩| 20V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | UMX12N |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IMT5A | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| UMX13N | 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial I²C bus EEPROM |
| UN-231 | Low voltage NPN transistor |
| UN-231OP-01 | Complementary silicon power transistors |
| UN-231OP-02 | Complementary silicon PNP transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UMX13N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SO |
| UMX18N | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistors (dual transistors) |
| UMX18NTN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 12V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| UMX1E4R7MCT1 | 制造商:n/a 功能描述:4.7 mf 25 v SMT Alum Electrolytic |
| UMX1N | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Dual NPN General Purpose Transistors |
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