型號(hào): | UMT1N |
廠商: | Rohm CO.,LTD. |
英文描述: | General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) |
中文描述: | 通用晶體管(隔離雙晶體管) |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 80K |
代理商: | UMT1N |
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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UMT1N-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -50V -150mA 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |