參數(shù)資料
型號： UMC3NT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual Common Base Collector Bias Resistor Transistors(偏置電阻晶體管)
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419A-02, SC-88A, SC-70, 5 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： UMC3NT1
UMC2NT1, UMC3NT1, UMC5NT1
http://onsemi.com
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UMC2NT1
SC-88A/SOT-353
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Specifications Brochure, BRD8011/D.
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Marking
Transistor 1 - PNP
Transistor 2 - NPN
R1 (K)
R2 (K)
R1 (K)
R2 (K)
UMC2NT1, G
UMC3NT1, G
UMC3NT2, G
UMC5NT1, G
UMC5NT2, G
U2
U3
U3
U5
U5
22
10
10
4.7
4.7
22
10
10
10
10
22
10
10
47
47
22
10
10
47
47
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0-50
0
50
100
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
P
R
JA
= 833
°
C/W
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PDF描述
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UML10 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
UML15 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
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參數(shù)描述
UMC3NT1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMC3NT2 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMC3NT2G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMC3NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP/NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMC3TR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
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