參數(shù)資料
型號: UM6J1NTN
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 4/4頁
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描述: MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
產(chǎn)品目錄繪圖: UM6K Series SOT-363
特色產(chǎn)品: ECOMOS? Series MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.4 歐姆 @ 200mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 30pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: UMT6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: UM6J1NTNDKR