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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | U631H16BD1C25 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SOFTSTORE 2K X 8 NVSRAM |
| 中文描述： | SOFTSTORE 2K × 8非易失性SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | U631H16BD1C25 |
5
December 12, 1997
U631H16
t
PU
10
Read Cycle 1: Ai-controlled (during Read cycle: E = G = V
IL
, W = V
IH
)
f
Read Cycle 2: G-, E-controlled (during Read cycle: W = V
IH
)
g
No.Write Cycle
Symbol
25
35
45
Unit
Alt. #1
Alt. #2
IEC
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
12 Write Cycle Time
t
AVAV
t
AVAV
t
cW
25
35
45
ns
13 Write Pulse Width
t
WLWH
t
w(W)
20
30
35
ns
14 Write Pulse Width Setup Time
t
WLEH
t
su(W)
20
30
35
ns
15 Address Setup Time
t
AVWL
t
AVEL
t
su(A)
0
0
0
ns
16 Address Valid to End of Write
t
AVWH
t
AVEH
t
su(A-WH)
20
30
35
ns
17 Chip Enable Setup Time
t
ELWH
t
su(E)
20
30
35
ns
18 Chip Enable to End of Write
t
ELEH
t
w(E)
20
30
35
ns
19 Data Setup Time to End of Write
t
DVWH
t
DVEH
t
su(D)
12
18
20
ns
20 Data Hold Time after End of Write
t
WHDX
t
EHDX
t
h(D)
0
0
0
ns
21 Address Hold after End of Write
t
WHAX
t
EHAX
t
h(A)
0
0
0
ns
22 W LOW to Output in High-Z
h, i
t
WLQZ
t
dis(W)
10
13
15
ns
23 W HIGH to Output in Low-Z
t
WHQX
t
en(W)
5
5
5
ns
Ai
E
G
DQi
Output
t
dis(E)
t
cR
t
a(E)
t
en(E)
t
en(G)
t
a(G)
t
dis(G)
Address Valid
Output Data
High Impedance
I
CC
ACTIVE
STANDBY
t
PD
1
3
4
5
7
6
8
11
t
a(A)
2
t
a(A)
Previous
Output Data
t
cR
Address Valid
t
v(A)
Ai
DQi
Output
1
2
9
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAA
AAA
AAA
AAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAA
AAA
AAA
AAA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| U631H16BD1K25 | SOFTSTORE 2K X 8 NVSRAM |
| U631H16BD1K35 | SOFTSTORE 2K X 8 NVSRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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